მრავალშრიანი აქტიური ფენებით მემრისტორის მიღება და კვლევა

ავტორი: ლადო ჯიბუტი
საკვანძო სიტყვები: პლაზმური ანოდირება, ულტრაიისფერი სინათლე, ოქსიდი
ანოტაცია:

ნაშრომში განხილულია ჰაფნიუმის ოქსიდის აქტიურ შრიანი მემრისტორის მიღებისა და კვლევის ტექნოლოგიური პროცესები. ჰაფნიუმის ოქსიდი მიღებულ იქნა პლაზმური ანოდირებით, რომლის სტიმულირება ხდებოდა ფორმირების პროცესში ნიმუშის ულტრაიისფერი სინათლის დასხივებით. შემუშავდა მემრისტორის მიღების ტექნოლოგიური მარშრუტი. შესწავლილ იქნა მიღებული ჰაფნიუმის ოქსიდის ზოგიერთი ელექტრო–ფიზიკური, დიელექტრიკული და ოპტიკური პარამეტრები. კვლევაში გადაწყვეტილია სხვადასხვა ძირითადი ამოცანები როგორებიცაა, აქტიური შრის ორივე მხარეს ომური კონტაქტებიას დაფენა ძაბვა-ტევადობის (C-V) მახასიათებლების და მემრისტორის ძაბვა-დენის (I-V) მახასიათებლების გაზომვებისთვის. შეჯამდა გაზომვის შედეგები და გაკეთდა შესაბამისი დასკვნები.