დაბალტემპერატურული მაგნეტრონული გაფრქვევით გალიუმის ნიტრიდის მიღება და კვლევა

ავტორი: ბაქარ დუაძე
საკვანძო სიტყვები: ფართოზონიანი, გალიუმი, ნიტრიდი, გაფრქვევა, მაგნეტრონი
ანოტაცია:

ფართოზონიანი ნახევარგამტარული ნაერთ GaN-ის ბაზაზე შექმნილი სტუქტურები ითვლება ერთ-ერთ პერსპექტიულ მასალად ზემაღალი სიხშირის (ზმს) ტრანზისტორების, მონოლითური ინტეგრალური სქემების (მის), ლაზერული და მაშუქი დიოდების შექმნისთვის. ეს ხელსაწყოები მუშაობენ ბევრად უფრო ფართო სიხშირულ დიაპაზონში, მაღალ ტემპერატურებზე, და ასევე დიდი სიმძლავრის გამოსავლიანობით, ვიდრე შესაბამისი ხელსაწყოები აგებული Si, GaAs, SiC და სხვა ნახევარგამტარებზე. მათი გამოყენება თანამედროვე რადიოელექტრონულ მოწყობილობებში, არსებითად ზრდის მათში ინტეგრაციის ხარისხს, გაძლიერების, მოდულაციის და სხვა ძირითად პარამეტრებს. მათზე შუქდიოდების დამზადების ტექნოლოგიის ძირითადი მიზანი მდგომარეობს იმაში, რომ შეიქმნას სინათლისწყაროები თეთრი ფერის მთელი სპექტრის უბანში, რათა გამოყენებულ იქნას შუქდიოდები ფერად მოწყობილობებში: ინდიკატორები, ეკრანები და ა.შ. წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომში განხილულია საფირონზე გალიუმის ნიტრიდის ფირების დაფენის მაგნეტრონული გაფრქვევის დაბალტემპერატურული ტექნილოგია, ჩატარებულია GaN-ის ფირის ფორმირების პროცესში მისი ლეგირება სპილენძით და გაზომილია მიღებული ფირის ზოგიერთი პარამეტრები.